Dünne Siliziumwafer

 

Was sind ultradünne Siliziumwafer? Wafer mit einer Dicke von 200 Mikrometern werden für ihren Verdünnungsprozess wie folgt bearbeitet: mechanisches Schleifen, Spannungsreduzierung, Polieren und Ätzen. Ultradünnes Silizium ist heute und in Zukunft ein wichtiger Baustein für die Herstellung von Halbleiterbauelementen. Aufgrund der besonderen mechanischen Eigenschaften der Ultradünnwaferproduktion unterscheidet sich die Handhabung dieser Wafer von der herkömmlichen. Aufgrund des Aufkommens von Taiko-Wafern haben spezielle Geräte und Träger das Potenzial, die Handhabung ultradünner Wafer zu überflüssigen. Hier werden Fortschritte in der Ultradünnwafer-Technologie, dem Herstellungsprozess, dem Wafertransport und den Geräteanwendungen besprochen.

 

Ultradünne Wafer finden breite Anwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und werden langfristige Auswirkungen auf die Halbleiterindustrie haben.

 

Nachfolgend sind nur einige der Dickenwafer aufgeführt, die wir auf Lager haben:

5 Mikron

10 Mikron

20-25 Mikron

50 Mikrometer

75 Mikrometer

100 Mikron

 

http://de.sibranchwafer.com/